728x90 반응형 SMALL Semiconductor industry/HBM10 하이브리드 본딩과 반도체 전공정 기술 반도체 기술은 현대 생활의 근간이 되는 매우 중요한 기술 중 하나입니다. 우리가 사용하는 스마트폰이나 컴퓨터, 자동차에 들어가는 부품들도 바로 이 반도체 덕분에 작동하는데요. 이 반도체 칩이 만들어지기 위해서는 다양한 단계가 필요합니다. 그중 '전공정'과 '후공정'이라는 두 가지 주요 공정이 있죠.전공정(Front-End-of-Line)은 반도체 칩의 토대가 되는 실리콘 원판, 즉 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 과정입니다. 실리콘 웨이퍼 위에 전기 회로를 층층이 쌓아 반도체가 원하는 기능을 수행할 수 있도록 만들어요. 예를 들어, 메모리를 저장하거나, 데이터를 처리하는 역할을 맡기 위해 여러 층의 회로가 만들어져야 하는데, 이 회로를 형성하는 과정을 전공정이라 부릅니다.이후 웨이퍼는 '다이'로 잘리게 됩니다.. 2024. 10. 30. 하이브리드 본딩의 W2W와 D2W 방식: 차이점과 특징 이해하기 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)은 차세대 반도체 기술에서 중요한 역할을 하며, 고성능 칩을 만들기 위해 활용됩니다. 하이브리드 본딩의 방식에는 주로 웨이퍼 투 웨이퍼(Wafer-to-Wafer, W2W) 본딩과 다이 투 웨이퍼(Die-to-Wafer, D2W) 본딩 두 가지가 있습니다. 이 두 방식은 각각의 장점과 단점이 있으며, 특정 용도와 공정 조건에 따라 선택됩니다. 아래에서는 하이브리드 본딩의 두 가지 방식, W2W와 D2W의 차이점을 설명하겠습니다.1. 웨이퍼 투 웨이퍼 (W2W) 본딩웨이퍼 투 웨이퍼(W2W) 본딩은 두 개의 전체 웨이퍼를 서로 맞붙여 결합하는 방식입니다. 이 과정에서 두 웨이퍼가 동시에 결합되기 때문에, 많은 칩을 한 번에 제조할 수 있습니다.W2W의 장점대량 생.. 2024. 10. 28. 하이브리드 본딩에서 산화막의 역할: 차세대 반도체 기술의 핵심 하이브리드 본딩은 차세대 반도체 칩의 성능을 향상시키기 위해 중요한 역할을 하는 기술입니다. 이를 통해 더 높은 밀도의 전자 소자를 작은 공간에 효율적으로 배치할 수 있어, 특히 고속 데이터 전송이 필요한 고성능 컴퓨터와 스마트폰, 인공지능(AI) 칩 등에 적용됩니다. 여기서 하이브리드 본딩의 핵심은 바로 산화막입니다. 산화막은 두 웨이퍼 간 절연층 역할을 하며, 동시에 결합을 더욱 견고하게 만들어 전기적 신호의 손실과 간섭을 최소화합니다.1. 하이브리드 본딩이란?하이브리드 본딩은 일반적인 물리적 결합과는 달리, 두 개의 웨이퍼를 결합할 때 화학적 결합을 활용해 고속 신호 전송이 가능하게 하는 기술입니다. 하이브리드 본딩을 통해 웨이퍼 간 신호 전달이 매우 빠르고 안정적으로 이루어져, 3D IC(집적 회.. 2024. 10. 27. SK 하이닉스의 HBM 기술 혁신: MR-MUF 공정으로 성능 향상 SK 하이닉스의 HBM(Memory High Bandwidth Memory) 기술 혁신은 고성능 메모리 제품을 위한 중요한 발전을 이루어냈습니다. 특히 MR-MUF(Mass Reflow-Molded Underfill) 공정을 통해 성능과 신뢰성을 대폭 향상했습니다. 이번 포스팅에서는 이 공정이 어떻게 고대역폭 메모리(HBM) 성능을 끌어올리고, 반도체 산업에서 SK 하이닉스의 경쟁력을 높였는지, 수치를 기반으로 쉽게 설명드리겠습니다.1. MR-MUF 공정이란?MR-MUF는 메모리 칩 간의 접합을 더욱 강력하고 신뢰성 있게 만드는 공정입니다. 이 공정에서는 액체형 보호층을 사용하여 고속 메모리 칩을 쌓을 때 발생할 수 있는 열 스트레스를 줄이고, 열 방출 성능을 향상시키는데 중요한 역할을 합니다. HBM은.. 2024. 10. 10. 이전 1 2 3 다음 728x90 반응형 LIST
