SK Hynix는 세계 최초로 12층 HBM3E 메모리의 대량 생산을 시작했습니다. 이 메모리는 36GB의 용량을 제공하며, 이전의 8층 HBM3E와 동일한 두께로 50% 증가된 용량을 자랑합니다. 각 DRAM 칩은 40% 더 얇아지고, TSV(Through-Silicon Via) 기술을 활용하여 수직으로 쌓여 있는 것이 특징입니다(Fudzilla.com - Home)(TechPowerUp).
HBM3E는 속도 면에서도 중요한 혁신을 이루었으며, 최대 9.6Gbps의 속도를 기록합니다. 이는 현재 시장에서 가장 빠른 메모리 속도로, 예를 들어 Llama 3 70B라는 대형 언어 모델을 운영하는 데 필요한 70억 개의 매개변수를 단 1초 안에 35번 읽어들일 수 있습니다(TechPowerUp).
이러한 고성능 메모리의 생산 과정에서 SK Hynix의 메트롤로지(Metrology) 팀의 역할이 매우 중요합니다. 메트롤로지 팀은 제품의 품질과 성능을 보장하기 위해 새로운 패키징 기술이 올바르게 적용되고 있는지를 지속적으로 모니터링합니다. 예를 들어, Advanced MR-MUF 공정 기술을 적용하여 열 방출 성능을 10% 향상시키고, 구조적 안정성을 확보하여 제품의 신뢰성을 높이고 있습니다(Fudzilla.com - Home)(TechPowerUp).
메트롤로지 팀은 또한 문제 발생 시 즉각적인 대응을 통해 품질을 유지하는 데 큰 기여를 합니다. 이를 통해 SK Hynix는 고객에게 높은 품질의 제품을 제공하고, AI 메모리 시장에서의 리더십을 다시 한번 확고히 할 수 있었습니다. 이러한 메트롤로지 기술의 중요성은 특히 HBM3E와 같은 고속 메모리 제품에서 더욱 두드러지며, 향후 새로운 메모리 제품 개발에도 지속적으로 힘쓸 것입니다.