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BSPDN은 반도체 칩의 뒷면(Backside)을 통해 전력을 공급하는 네트워크를 말합니다. 이는 특히 고속 및 고성능 집적회로에서 중요하게 다뤄집니다. 칩의 전력 전달 효율을 극대화하고, 전력 손실을 최소화하며, 전원 공급의 안정성을 높이기 위해 설계됩니다.
이 방식은 주로 여러 층으로 구성된 고급 반도체 패키지에서 사용되며, 전력이 칩의 뒷면을 통해 공급되는 구조입니다. 이와 같은 설계를 통해 전원 공급 시스템의 용량을 키우고, 열 발생을 분산시키며, 칩의 성능을 최적화할 수 있습니다.
주요 특징:
고속 전원 공급: 고속 동작을 요구하는 칩에서 빠르고 안정적인 전원 공급을 제공할 수 있습니다.
열 관리: 전원 공급 시스템이 칩의 뒷면에서 이루어지면 열이 효율적으로 분산되어 열 관리가 더 용이합니다.
패키징 기술: 여러 층을 사용하는 고급 반도체 패키지 기술에서 이 방식이 유용하게 사용됩니다.
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