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반도체에서 Wordline과 Bitline은 메모리 셀을 구성하는 기본 요소로, 특히 DRAM과 같은 메모리 구조에서 중요한 역할을 합니다.
1. Wordline (워드라인)
- 정의:
Wordline은 메모리 셀의 게이트에 연결된 수평적인 배선입니다. 메모리 셀의 트랜지스터를 선택하거나 활성화하는 역할을 합니다. - 역할:
특정 메모리 셀을 읽거나 쓰기 위해, 해당 메모리 셀의 트랜지스터를 열어주는 역할을 합니다. Wordline이 활성화되면, 메모리 셀의 커패시터에 저장된 데이터가 Bitline으로 전송되거나 데이터를 새로 저장할 수 있습니다. - 동작 원리:
Wordline에 전압을 인가하면, 해당 라인에 연결된 트랜지스터가 작동(온 상태)하여 Bitline과 커패시터 간의 연결을 가능하게 합니다.
2. Bitline (비라인)
- 정의:
Bitline은 메모리 셀의 드레인(또는 소스)에 연결된 수직적인 배선입니다. 데이터의 읽기 또는 쓰기를 담당합니다. - 역할:
데이터를 읽을 때 커패시터에 저장된 전하를 감지하거나, 데이터를 쓸 때 새로운 데이터를 저장합니다. - 동작 원리:
Wordline이 선택되어 트랜지스터가 활성화되면, Bitline을 통해 커패시터의 전압 상태를 읽거나 새로운 전압을 입력합니다.
3. Wordline과 Bitline의 상호작용
- DRAM에서 하나의 메모리 셀은 커패시터와 트랜지스터로 구성됩니다.
- Wordline이 활성화되면, 해당 메모리 셀의 트랜지스터가 열리고, Bitline은 커패시터와 연결되어 데이터를 읽거나 씁니다.
- 메모리 셀은 Wordline과 Bitline의 교차점에 위치하며, 이를 통해 다수의 메모리 셀을 효율적으로 배열할 수 있습니다.
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