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Semiconductor industry

리사 수의 혁신: 반도체 회로의 알루미늄에서 구리로의 전환

by 반의반도체 2024. 11. 15.
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리사 수(Lisa Su)는 IBM에서 중요한 기술적 성과를 이루었고, 그 중 하나가 바로 반도체 회로에서 알루미늄을 구리로 교체한 혁신적인 기술입니다. 이 혁신은 현대 반도체 기술의 발전에 매우 중요한 전환점이 되었으며, 후속 세대의 반도체 회로 성능 향상에 기여한 중요한 업적입니다.

알루미늄에서 구리로의 전환 배경
기존의 반도체 제조 공정에서 알루미늄은 금속 배선 재료로 널리 사용되었습니다. 알루미늄은 전도성이 좋고 가공이 용이하여 초기 반도체 회로에 많이 사용되었습니다. 하지만 반도체의 집적도가 높아지고, 회로의 크기가 작아지면서 알루미늄은 여러 가지 한계를 드러내기 시작했습니다. 가장 큰 문제는 전기적 저항입니다. 회로에서 전자가 이동할 때, 알루미늄의 전기적 저항이 회로 성능에 제한을 두게 되었으며, 특히 미세화가 진행될수록 전류가 흐르는 데 방해가 되기 시작했습니다.

반도체 기술이 발전하면서 회로의 선폭이 점점 좁아졌고, 이로 인해 더 빠르고 효율적인 전류 흐름을 위한 소재가 필요해졌습니다. 그때 등장한 것이 바로 구리였습니다. 구리는 알루미늄보다 전도성이 뛰어나며, 고속 전류 흐름에 유리하고, 고온에서도 안정적인 성질을 가지고 있습니다. 그래서 구리는 반도체 회로의 성능을 향상시킬 수 있는 이상적인 후보로 떠오르게 되었습니다.

리사 수의 역할
리사 수는 IBM에서 반도체 기술을 연구하던 중, 구리 배선 기술을 상용화하는 데 중요한 역할을 했습니다. 구체적으로, IBM의 Cu/Low-k 기술 개발을 이끌며, 구리 배선을 실제 반도체 제조 공정에 적용할 수 있는 방법을 연구했습니다. 이 연구는 단순히 새로운 소재를 사용하는 것에 그치지 않았습니다. 구리 배선이 반도체 제조에서 실제로 사용되기 위해서는 제조 공정의 대대적인 개선이 필요했습니다.

리사 수는 구리 배선이 실제 반도체 공정에 적용될 수 있도록 기존의 제조 공정을 대대적으로 개선했습니다. 그녀는 구리 배선의 화학적 결합 문제를 해결하기 위해 새로운 기술을 개발하고, 이를 통해 구리가 고온에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 했습니다. 또한, 구리 배선의 화학적 증착과 에칭(etching) 기술을 개선하여, 기존 공정에 비해 더 효율적이고 정확하게 구리 배선을 생산할 수 있는 방법을 제시했습니다.

구리 배선의 상용화와 반도체 산업의 혁신
리사 수의 노력 덕분에 구리 배선 기술은 IBM을 비롯한 여러 반도체 제조업체들에 의해 상용화되었으며, 이는 반도체 산업에 큰 혁신을 일으켰습니다. 구리 배선은 전도성을 크게 향상시켰으며, 고속 전자기기의 요구를 충족시키는 데 중요한 역할을 했습니다. 구리 배선 기술이 상용화되면서 반도체 회로의 성능은 급격히 향상되었고, CPU, GPU, DRAM 등 고성능 반도체 제품들이 출시되면서, 전자기기의 처리 속도와 효율성은 비약적으로 증가했습니다.




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